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Si7904BDN
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS
20
25 °C, unless otherwise noted
10
V GS = 5 thr u 2 V
8
15
6
10
1.5 V
4
T C = 125 °C
5
0
1 V
2
0
25 °C
- 55 °C
0.0
0.4
0. 8
1.2
1.6
2.0
0.0
0.3
0.6
0.9
1.2
1.5
1. 8
0.060
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
V GS = 1. 8 V
1200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
0.050
0.040
0.030
V GS = 2.5 V
900
600
300
C oss
C iss
0.020
V GS = 4.5 V
0
C rss
0
5
10
15
20
0
4
8
12
16
20
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage
8
1. 8
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
7
V DS = 10 V
I D = 6 A
1.6
I D = 7.1 A
6
5
1.4
4
3
2
1
0
V DS = 16 V
I D = 6 A
1.2
1.0
0. 8
0.6
0
3
6
9
12
15
1 8
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
Document Number: 74409
S-83050-Rev. B, 29-Dec-08
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
T J - J u nction Temperat u re (°C)
On-Resistance vs. Junction Temperature
www.vishay.com
3
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